报告时间：2023年5月12日（星期五）上午 9：30

报告地点：能源楼A座会议室

报告人：张宏俊，中国科学技术大学特任研究员

报告简介

正电子是电子的反粒子，因此可以高灵敏度地识别材料内电子性质发生变化的各种微结构。正电子湮没谱学可以为材料学研究提供宝贵的微结构无损表征：（1）晶体的原子级缺陷结构，包括缺陷的类型、尺寸、浓度（可探测极限低至0.1 ppm）、化学环境。（2）多孔材料的孔结构，包括平均孔径（0.15 nm < d < 200 nm）、孔径分布、孔密度、孔壁最外原子层的化学环境。（3）高分子的自由体积，包括平均尺寸、尺寸分布、自由体积分数、化学环境。（4）微结构随深度（从最外原子层到十微米左右）的分布，可测量各种不同厚度的样品（纳米膜、微米膜、毫米块材），可分析多层膜。中国科学技术大学已开展正电子湮没谱学研究四十多年，当前正致力于建设可在多种外加实验条件（气氛、气压、湿度、温度、光照、磁场、原位拉伸等）下对各种样品的微结构进行原位快速表征的正电子湮没谱学测量系统。2022年，已成功建立起可以观察材料微结构的分钟级演化规律的正电子湮没寿命测量系统。

报告人简介

张宏俊，中国科学技术大学特任研究员，博士生导师；2011年于武汉大学获得理学博士学位，2012-2018年，先后在日本原子力研究开发机构和筑波大学担任研究员；2018年起，在中国科学技术大学核探测与核电子学国家重点实验室担任特任研究员，在合肥微尺度物质科学国家研究中心担任兼职研究员；2018年起，担任中国核物理学会正电子谱学专业委员会委员；2021年，获得中国核物理学会第一届“赵忠尧青年正电子科学家奖”；长期从事正电子湮没谱学及其应用研究，已在PRL、JACS、Angew、Adv. Mater.等重要学术期刊发表七十多篇论文；当前主要研究兴趣为：（1）正电子湮没谱学实验装置与分析技术开发（2）宽禁带半导体的缺陷与光电性能（3）二氧化碳分离膜的微孔结构与分离性能。

联系人：DNL2005组 周雯慧 84379711/13840292324