报告时间：2013年8月21日（星期三）14：00 

　　报告地点：能源楼1号楼一楼会议室 

　　报告人：王德亮 教授 

　　中国科技大学 　　  

　　报告人简介: 

　　1985-1989，北京科技大学物理系，学士学位。 

　　1989-1992，中国科学院固体物理研究所，硕士学位。 

　　1994-1997，德国Goettingen(哥庭根)大学物理系，获自然哲学博士学位。 

　　1999-2002, 日本原子技术联合研究中心博士后研究员 

　　2003-2005, 香港科技大学研究助理。  

　　2005年-至今，中国科技大学合肥微尺度物质科学国家实验室研究员，材料科学与工程系教授。  　　  

　　王德亮研究员的主要研究领域为, 高性能器件的半导体薄膜制备;异质薄膜器件结构生长; 器件制备及器件性能表征。目前, 主要致力于第二代薄膜太阳能电池CdTe和CuInGaSe薄膜生长和电池制备。 

　　王德亮在SCI收录的影响因子较高刊物上共发表60多篇学术论文，在材料和器件物理类国际影响因子接近或大于2.0的论文40篇，其中在Applied Physics Letters，Journal of Applied Physics,国际顶尖电子器件期刊IEEE Transactions on Electron Devices，IEEE Electronic Device Letter，和Journal of Crystal Growth 杂志上发表20篇。截止目前，发表的文章共被引用约500次，先后多次被邀请在大型国际会议和日本应用物理学会的会议上作口头报告。王德亮在半导体薄膜生长和器件制备方面的主要贡献是，实现了在硅衬底上生长高质量的GaN薄膜及器件结构，制备的有关器件性能指标，与常规蓝宝石衬底上的器件可比拟。近年来，在中国科技大学开展了第二代薄膜太阳能电池，将CdTe太阳能电池的转换效率提高到14.6%, 达到国内领先水平。 　　  

　　报告联系人：503组 张文华（9068）