报告时间: 2016年10月19日（星期三）, 上午9:00-10:00

报告地点：能源一号楼一楼会议室

报告人：闫文盛 研究员

中国科学技术大学国家同步辐射实验室

　　报告摘要：

    兼有铁磁性及半导体特性的低维稀磁半导体（DMS）是制备能同时操纵电子的自旋和电荷的新一代纳米自旋电子器件的重要支撑材料。在电子层次上了解DMS磁性可被调控的微观机理对制备出性能可调（被外光、电场操纵）的自旋电子器件至关重要。报告人利用X射线吸收谱学技术结合第一性原理计算探索了磁半导体材料的原子和电子结构，揭示维度、结构和磁性之间的联系，提出了壳-核结构、相掺杂和结构驰豫等调控磁半导体铁磁性的新方法，在磁半导体材料的磁性机理认识上取得了突破。相应的研究成果发表在J.Am.Chem.Soc.、Adv.Mater.、ACS Nano.和Appl.Phys.Lett.等国际期刊上。

　　报告人简介：

    闫文盛，中国科学技术大学国家同步辐射实验室研究员，博士生导师，国家同步辐射实验室磁圆二色站负责人。2003年博士毕业于中国科学技术大学物理系。多年来一直从事X射线吸收谱学技术的建立及应用的研究工作。利用X射线吸收谱学技术探索了磁半导体材料的原子和电子结构，揭示维度、结构和磁性之间的联系，在J.Am.Chem.Soc.、Adv.Mater.、ACS Nano.和Appl.Phys.Lett.等期刊上发表了一系列研究论文。目前，已发表了100余篇SCI收录的研究论文，他引1500余次，承担了包括基金委重点课题在内的国家自然科学基金6项。

    报告联系人：十五室  孙汇（9161）